| 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 中心波長 | 光纖接頭 |
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| 圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數 | 價格 |
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1060nm掃頻激光光源，基于新型MEMS技術，具有輸出功率高，掃頻范圍寬，高相干長度，可靠性高，體積小巧操作簡單等優勢。高相干波長掃頻光源適用于高速高精度光學頻域反射計(OFDR)。 尺寸很小，它可以內置到各種設備中。
● 工作波長： 1060，1300或1550nm三種波長可選
● 掃描寬度：>100nm(@1550nm)
● 掃描頻率：Typ. 150 or 1250 Hz
● 輸出功率：> 10 dBm
● 相干長度：> 100 m @Sweep Width 50nm (1550nm-band) @Sweep Frequency 150Hz
● OCT應用（光學相干斷層成像）
● 光學頻域反射計(OFDR)
● 光學器件測量
● 相干相關的應用
● 光譜測量
參數 | 指標 | 備注 |
振蕩模式 | 單橫截面和自由模式切換 | |
掃頻波形 | 正弦波 | |
中心波長 | 1060± 5 nm | 當掃描范圍為50nm,中心波長定義為掃描范圍的中心波長。 |
波長掃描范圍 | 50nm | |
掃描頻率 *1 | 1250 ± 50 Hz | |
平均光輸出功率 (激光等級) | ≥ +10 dBm [Class 3B *2] | |
光連接器 | FC/APC | |
光纖類型 | SMF | 光纖長度為?730mm。Φ0.9mm松套管 |
光源連接器 | DF1B-14DES-2.5RC | Hirose 見圖3和表1 |
熱敏電阻 Th | 9.8 Ω ≤ Th ≤ 11.7 Ω | Rth = 10.74 kΩ ± 5% @25°C B = 3450 K ± 2% 看圖3 (pin No. 9 and 10) |
MEMS線圈電阻 | 7 ± 2 Ω | 看圖3(pin No. 5 and 6) |
尺寸 *3 | 31.6 x 40.0 x 27.0 mm | 不包括凸出部分 |
重量 | ≤ 200 g |
備注：上電后，設備至少預熱30分鐘。
絕對最大值參數
參數 | 最大值 | 備注 |
LD正向電流@25°C | 180 mA | 看圖3 (pin No. 7 and 8) |
LD反向電壓@25°C | 2 V | 看圖3 (pin No. 7 and 8) |
MEMS線圈信號*4 | 波長掃描范圍不得超過52.5 nm | 正弦波形為最小電壓為0V和VMEMS的振幅。頻率與“掃描頻率”相同。 |
工作熱敏電阻溫度 *5 | +20 ~ +30 °C | ≤85%RH No condensation |
存儲溫度 | ?20 ~ +60 °C | ≤95%RH No condensatio |
標準配件
參數 | 名稱 | 數量 |
CD-ROM（操作手冊） | GQA0600ASK-01 | 1 |
操作手冊 | DD-L0020CZ004 | 1 |
光源電纜*6 | - | 1 |
備注：
*1 掃描頻率取決于安裝在波長掃描光源中的MEMS器件的機械諧振頻率，用戶無法調整。不要在1250±50Hz的頻率范圍外驅動MEMS設備。頻率范圍外的驅動信號會導致MEMS器件的損壞。
*2 GQA0600ASK在波長掃描范圍內發射連續激光（CW），其發射等級為安全等級3B（根據IEC 60825-1）。
GQA0600ASK作為一個嵌入式部件設計，作為客戶系統的一部分。采用GQA0600ASK的系統需要滿足激光產品的安全性（根據IEC 60825-1）。
*3 使用底部的四個M2.5螺孔安裝本產品。用扭力扳手擰緊螺釘，擰緊力矩為0.07～0.08 N·m。
*4 調整VMEMS，使波長掃描范圍不超過52.5 nm。
*5 建議的工作熱敏電阻溫度為25±2°C。設定值的溫度波動范圍需要小于±0.1°C。由于該模塊不包含 Peltie裝置，建議在模塊底部安裝 Peltie裝置以控制溫度。
*6 電纜的一端有一個連接器，用于連接光源連接器（圖2）。電纜的另一端是自然狀態無連接。
*7 GQA0600ASK對機械沖擊和振動敏感。請注意不要施加機械沖擊和振動。建議采取防震和防振措施。
應用舉例
圖2：掃頻源模塊
掃頻源連接:
圖3：Pinout
表1：連接器規格
參數 | 規格 | 備注 |
連接 | DF1B-14DES-2.5RC | Hirose |
電纜連接長度 | 60 ± 10 mm | 看圖2 |
1060nm高相干波長掃頻光源
HCWSLS-1060-50-10-SA
中心波長：1060：1060nm
波長掃描范圍：50:50nm
平均光輸出功率：10:10dBm
SA：SMF，FC/APC
營業執照